mécanismes de formation des barrières Schottky

"Origin of weak Fermi level pinning at the graphene/silicon interface" par J. Courtin, S. Tricot, G. Delhaye, Pascal Turban, B. Lépine, J. Le Breton et Philippe Schieffer

DMN_Lebreton
  • Les jonctions graphène/silicium sont très étudiées pour de possibles applications dans de nombreux domaines comme le photovoltaique ou les capteurs mais le mécanisme de formation de la barrière Schottky est mal compris. Dans cette étude, nous avons réussi à contrôler la hauteur de barrière avec la modification du travail de sortie du graphène. Les calculs DFT montrent que l’absence d’ancrage du niveau de Fermi à l’interface résulte d’une faible densité d’états induits dans la bande interdite du silicium du fait du caractère bidimensionnel du graphène. Cette étude permet une meilleure compréhension des mécanismes de formation des barrières Schottky dans les hétérostructures de Van der Waals. 

 

  • Ce travail est paru dans Physical Review B (Physical Review B, 2020, 102 (24), pp.245301. DOI : 10.1103/PhysRevB.102.245301) : : lien vers HAL .